Tugas 7

Perancangan Transistor MOSFET

Spesifikasi :

Dari buku Semiconductor Device (S.M. Sze) fig. 41 page 211

Kita asumsikan NA = doping substrat = 4.1016 cm-3, maka untuk d = 250 Œ = 250.10-8 cm diperoleh VT = 0,45 V.

Dengan asumsi sambungan n+-p abrupt junction maka ND = 100.NA = 4.1018 cm-3.

dan dengan :

q = 1,6.10-19 C

NA = 4.1016 cm-3

VBR = 30 V

e Si = 11,9 . 8,854.10-14

maka : e c = 6,04.105 Vcm-1

; untuk Si maka l r = 1450

Dari spesifikasi : gm = 50

Dengan mengambil L = 1.10-4 cm maka Z = 0,8329 cm = 8,329 l m2.

Jadi kontak untuk gate adalah AG = Z.L = 8329 l m2.

Dengan asumsi LSD = 10l m, maka luas kontak alumunium untuk source dan gate adalah :

AS = A0 = Z . LSD =83,29.103 l m2.

Bandwidth dari MOS :

 

 

 

 

 

Hasil Rancangan :

Doping yang digunakan :

Kedalaman material :

Luas kontak Al :

 

Karakteristik I-V dan frekuensi tinggi :

Kurva ID-VDS :

VDS < VDS sat dimana

dan

Maka :

Grafik ID-VDS :

Kurva karakteristik frekuensi tinggi :

Dengan menggunakan rangkaian pengganti small signal untuk frekuensi tinggi :

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Karakteristik frekuensi tinggi :